第319章 碲汞镉，启动（2 / 2）

高振东点点头：「我们搞碲汞镉晶体！」

俞允成听见这话，就是一愣，说实话，他不知道碲汞镉是什麽东西，这玩意是1959年才被弄出来的，这时候的国内，基本上没人知道这是什麽玩意。

「碲汞镉？是什麽东西？」甚至他都不能确定这玩意是碲汞镉还是碲汞铬。

高振东拿过纸笔，在纸上写下了HgCdTe这个不算是化学式的化学式，俞允成这才能确认高振东说的是个什麽玩意，但是这东西用来做什麽，他还是一无所知。

高振东又继续将碲汞镉材料的特性做了一个介绍，俞允成越听越激动，这是一种非常好的光电半导体材料啊，而且波段覆盖范围还宽，性能结构又稳定，这玩意做起来，那就是真有意思了。

可是他又有一些畏难，这东西完全一无所知啊简直是。

「高主任，这东西好是好，我们能搞嘛？」

高振东笑着点点头：「把握还是有一些的，我已经根据它的结构丶性质丶组分等等原理，从冶金和晶相等角度出发，摸索了一种制备方法，把握还是有一些的，至少先得到化合物是没问题，至于高质量的晶体，也有一定的把握。」

高振东这话，就说得俞允成汗毛都竖起来了，从原理硬算硬推麽？这玩意现在哪儿来的原理啊，你要不说有这东西，我们谁都想不到还有这玩意，红外探测这一块还在和硫化铅较劲呢，你说你都是怎麽算的？

不过他知道高振东从来不扯淡，单晶炉这玩意从一开始看来，也不像是能有条件搞出来的样子，可是事实在那儿摆着呢，现在正在天天给1274厂拉原料，同时也在马不停蹄的生产单晶炉，扩大产能。

他想不到的是，高振东不但知道有这东西，他还有这玩意的晶格常数丶密度丶Te-Cd-Hg三元相图丶HgTe-CdTe伪二元相图丶较为准确的分凝系数丶热学性质丶汞蒸汽压丶电学性质等等一系列十年几十年后的数据和成果。

这麽说吧，哪怕是HgCdTe在1959年的发明者，都没有高振东手上的资料来得齐全和准确。

虽然不知道高振东信心从何而来，但他不是傻子，高主任完全没必要拉着自己开玩笑，他没有多犹豫：「高主任，你说怎麽干就怎麽干。」

高振东笑了：「行，不过这个东西你要有心理准备，不是一天两天能搞得成的，整个流程非常漫长，一次试验，可能要用几个月乃至半年才能搞完。」

由于汞蒸汽压等等原因，碲汞镉的晶体生长非常困难，不论是体晶体还是薄膜晶体，虽然办法很多，但是都挺麻烦的，晶体生长缓慢不说，而且退火等工艺要求高时间长，动不动就是几十天几十天的搞。

这就让整个试验耗日持久，不是有决心有毅力的人，搞不下来。

对于这个，俞允成无所谓，时间长点就长点，再说了，高主任可能是因为水平高，所以眼界也高。

在俞允成看来，半年做一次试验算什麽问题，这种东西别说搞出晶体来了，就是先把化合物搞出来，能证实一些东西就算是重大突破了。

所以说和高主任干事儿，成就虽然高，可是压力也不小啊。

「高主任，这个伱不用担心，寂寞这东西，我们还是耐得住的。」

高振东点点头，其实他们也不用怎麽担心，高振东在制备方法的选择上，还是很讲究的，选择的是一种工艺最为简单，对设备要求最低的，而且温控要求低，最重要的是，不需要晶体生长控制机构这个最为麻烦的东西。

偏偏这种办法长出来的晶体，组分均匀，结构很好，可以用于探测器级别元件的生产，而且晶体利用率很高。

当然，这玩意也不是没缺点，晶体直径小，高温缺陷多，杂质未提纯等等，但是这些对于现阶段来说，这些都不是问题。

晶体直径小，我搞线扫描的，弄长一点就好，又不是要一个圆形的平面。

至于为什麽高振东很快就选定这个办法，原因也比较简单，这东西是日后几十年花旗国量产碲汞镉探测元件，最主要的晶体生长方法。

不得不说，在这方面，花旗严选还是值得信赖的。

不过这个时候，还没到把方法都拿出来的时候，现在首要的任务是，把项目批下来。

见俞允成毫不犹豫，高振东也没有拖泥带水，马上把一部分材料交给他：「那就行，你先根据这些材料，写一个研究申请，我们打到部里去，按照预先商定的，我们两个单位联合，三轧厂牵头，1761所落地。至于具体的方法这些就不用写上去了，部里应该是理解的。」

(本章完)