第379章 PMOS（1 / 2）

第379章 PMOS

不是我不一次性说完，而是我每说一句话，你都要打断我发表一点儿什麽意见，利诺奇卡心想。

「煤油？煤油的热值是要比酒精高，啊哈，难道这就是原因？」

部长同志这才有些释然。

并不是他一定要找点什麽原因才能让自己高兴，而是这些情况单独看起来都不算什麽，可是全部组合到一起，就多少有一些让人惊讶了。

更大的射程，更大的战斗部，同等的尺寸和重量，这说明对方一定有什麽自己不知道的技术。

「部长同志，我们要不要试一试把P-15的酒精换成煤油？」

P-15，就是544飞弹。

「噢，不！基层的达瓦里氏们会抱怨的，至少现在的P-15不能换！他们已经习惯维护这种飞弹了，不是麽？」

不得不说，作为部长，还是非常体恤一线基层的同志的。

咱们正毛旗的兵，就爱维护酒精燃料！

「利诺奇卡同志，如果那边还有什麽新的消息，一定要早一点告诉我。顺便告诉卢比扬卡的同志，他们需要付出更多努力了！」部长同志总是觉得其中有哪里不对，但是又不知道哪里不对。

——

老毛子的纠结，高振东并不知道，他正在纠结自己的事情。

其实也不是纠结，只是在繁杂的工艺中选出一条合适的路来。

虽然已经选定了MOS技术，可是MOS技术也有PMOS（P沟道MOS）丶NMOS（N沟道MOS）丶CMOS（互补MOS）等等。

这些技术的每一道工序，又有不同的选择。

就好像搭积木，要搭出一个公园来，有不同的搭法，正所谓杀猪杀屁股，各有各的杀法。

不过在MOS的种类上，高振东倒是没什麽好纠结的，PMOS直接上就行了，作为最早的MOS技术，自然是有他的优点的。

猜猜它为什麽最早？简单啊！

PMOS只需要五次光刻就能搞定。

P区光刻丶栅光刻丶接触光刻丶金属光刻丶压焊块光刻，并在每次光刻中间加上不同的淀积或者氧化工序。

分别形成P区丶栅极丶对外接触孔丶晶片内布线和封装时用的引出焊点。

而且，其中掩膜需要严格对准套刻的，只有第二次栅光刻，其他时候的对准要求都不是那麽高，这就让手上的技术条件有限，捉襟见肘的高振东感到很舒服。

抛开封装，只是从矽片到布满成品晶片核心（DIE）的半成品，只需要12步工艺，就这，还包括准备矽片那一步工艺。

甚至不想要钝化那一步的话，只要前4次光刻就足够了，与之相应的工艺也减少到了10步。

这是真的简单，而且对材料的要求也不高。

只需要考虑引入三种元素。

——形成氧化保护层的氧丶形成栅极的硼丶还有形成金属导线的铝。

其中铝都不用考虑掺杂扩散的问题，只是用于沉积。

某退休老头：真是太好玩儿了.jpg。

而NMOS和CMOS的难度，可就比PMOS大多了，PMOS别的不说，至少做逻辑集成电路没问题，而且，这玩意10μm的制程是能做C8008的，其实做更高的制程也没问题。

选定了PMOS，高振东很快就把工艺路线给确定下来了。

不要最后一步钝化，4次光刻，只到金属光刻完成为止。

至于为什麽选这个，当然是因为简单了，而且他一开始是做比较粗的制程的，这个程度也就够了。

而且，少这一步，成本也会下降。

先把逻辑门电路拿出来，支撑住DJS-60D的生产，然后再去搞更好的。

先解决有没有，再解决好不好。

选定了这些，抄起书来，那就快了，高振东花了一个下午飞快的把书抄完，第二天一个电话打给了已经有点儿望眼欲穿的1274厂。

一个多小时过后，吕厂长和鲁总工带着人联袂而至，就等着这一天呢。

看着高振东给出的工艺设计指导文件，两人有点懵，这玩意比起原来的，怎麽还变薄了？

先进技术，必定复杂，一旦复杂，那资料就会很厚，大家都这麽想。